一种Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810554045.1

申请日：

2018-06-01

公开(公告)号：

CN108751738A

公开(公告)日：

2018-11-06

发明(设计)人：

杨蕾王壮尹奇异鲁红典张全争张凌云秦广超田长安

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经开区锦绣大道99号

IPC主分类号：

C03C1734

IPC分类号：

代理机构：

合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118

代理人：

王挺;郑琍玉

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C03C 17/34 申请公布日:20181106
2018-11-06	公开	公开
2018-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 17/34 申请日:20180601

共 50 条

[1]

Bi2S3/TiO2纳米棒复合膜光阳极的制备方法 [P].

杜荣归 ;

胡娟 ;

刘青 ;

梁燕 .

中国专利 :CN105386061A ,2016-03-09

[2]

一种纳米Ag/TiO2复合材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

张林 .

中国专利 :CN1934954A ,2007-03-28

[3]

一种TiO2纳米棒/多层石墨烯复合材料及制备方法 [P].

徐军明 ;

朱安福 ;

胡振明 ;

计晨铭 .

中国专利 :CN111792669B ,2020-10-20

[4]

一种TiO2纳米棒阵列薄膜材料及其制备方法 [P].

李新勇 ;

朱阿姝 ;

肇启东 ;

石勇 .

中国专利 :CN103922395A ,2014-07-16

[5]

一种纳米TiO2复合材料及制备方法 [P].

高猛 .

中国专利 :CN109880369B ,2019-06-14

[6]

一种半导体型MoS2量子点修饰的TiO2纳米棒阵列复合材料的制备方法 [P].

成家洪 ;

王玮 ;

许鹏 ;

刘天宇 ;

孙潇楠 ;

张金涛 ;

苏扬 ;

柏寄荣 .

中国专利 :CN111146006A ,2020-05-12

[7]

MoSe2纳米片复合烟花状TiO2纳米棒阵列及其制备方法 [P].

雷祥 ;

郁可 ;

朱自强 .

中国专利 :CN105833886A ,2016-08-10

[8]

TiO2/MoS2超薄纳米片阵列复合材料的制备方法 [P].

马德琨 ;

齐菲宣羽 ;

蔡芳芳 ;

黄少铭 .

中国专利 :CN110106519A ,2019-08-09

[9]

一种棒状PANI/TiO2纳米复合材料的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108927226A ,2018-12-04

[10]

纳米TiO2/ZrO2复合材料的制备方法 [P].

唐康健 ;

杨为民 ;

朱俊华 ;

程远琳 ;

王黎敏 .

中国专利 :CN103120933A ,2013-05-29

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