高压DMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910201690.6

申请日：

2009-10-16

公开(公告)号：

CN102044562A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101479743914 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20110504 专利申请号:2009102016906
2011-05-04	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080107180 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009102016906 申请日:20091016

共 50 条

[1]

DMOS器件及制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN102339857A ,2012-02-01

[2]

一种DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件 [P].

姜春亮 ;

蔡远飞 ;

何昌 ;

李理 .

中国专利 :CN106298530B ,2017-01-04

[3]

全自对准高压N型DMOS器件及制作方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN101752251A ,2010-06-23

[4]

ESD高压DMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN102130163B ,2011-07-20

[5]

一种横向高压DMOS器件 [P].

乔明 ;

向凡 ;

温恒娟 ;

周锌 ;

何逸涛 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN102790092A ,2012-11-21

[6]

一种高压DMOS器件 [P].

李冰 .

中国专利 :CN210743952U ,2020-06-12

[7]

一种纵向DMOS器件 [P].

崔永明 ;

张干 ;

王建全 ;

王作义 ;

彭彪 .

中国专利 :CN104900704A ,2015-09-09

[8]

一种低压DMOS器件的形成方法 [P].

王星杰 .

中国专利 :CN119486172A ,2025-02-18

[9]

DMOS器件制作方法与DMOS器件 [P].

姜春亮 ;

蔡远飞 .

中国专利 :CN106549057A ,2017-03-29

[10]

一种DMOS器件 [P].

廖远宝 .

中国专利 :CN105990422A ,2016-10-05

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