ESD高压DMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010027281.1

申请日：

2010-01-18

公开(公告)号：

CN102130163B

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2936 H01L2360 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-09	授权	授权
2014-01-08	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101684693997 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2010100272811 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131216
2011-07-20	公开	公开
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102510262 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010100272811 申请日:20100118

共 50 条

[1]

高压DMOS器件 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN102044562A ,2011-05-04

[2]

DMOS器件及其制造方法 [P].

杨乐 ;

万颖 .

中国专利 :CN103824776B ,2014-05-28

[3]

DMOS器件及其制造方法 [P].

万颖 .

中国专利 :CN103094111B ,2013-05-08

[4]

DMOS器件及制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN102339857A ,2012-02-01

[5]

制造DMOS器件的方法 [P].

尹喆镇 .

中国专利 :CN101211789A ,2008-07-02

[6]

横向DMOS器件及其制造方法 [P].

方诚晚 .

中国专利 :CN101308797A ,2008-11-19

[7]

侧向DMOS器件及其制造方法 [P].

高埑柱 .

中国专利 :CN101335211B ,2008-12-31

[8]

沟槽DMOS器件及其制造方法 [P].

刘江 ;

刘海波 ;

樊杨 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102737993B ,2012-10-17

[9]

一种DMOS器件及其制造方法 [P].

林信南 ;

董宁钢 .

中国专利 :CN109742137A ,2019-05-10

[10]

P型DMOS器件及其制造方法 [P].

赵秋森 ;

邓小社 .

中国专利 :CN102468177A ,2012-05-23

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