侧向DMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810127811.2

申请日：

2008-06-25

公开(公告)号：

CN101335211B

公开(公告)日：

2008-12-31

发明(设计)人：

高埑柱

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134

代理人：

宋子良;李占平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-31	公开	公开
2014-08-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101584479622 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2008101278112 申请日:20080625 授权公告日:20100609 终止日期:20130625
2010-06-09	授权	授权
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

横向DMOS器件及其制造方法 [P].

方诚晚 .

中国专利 :CN101308797A ,2008-11-19

[2]

一种DMOS器件及其制造方法 [P].

林信南 ;

董宁钢 .

中国专利 :CN109742137A ,2019-05-10

[3]

一种DMOS器件及其制造方法 [P].

孙冰朔 ;

方欣欣 ;

张思雨 ;

王子龙 ;

郭峰旗 .

中国专利 :CN121038312A ,2025-11-28

[4]

DMOS器件及制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN102339857A ,2012-02-01

[5]

制造DMOS器件的方法 [P].

尹喆镇 .

中国专利 :CN101211789A ,2008-07-02

[6]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[7]

ESD高压DMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN102130163B ,2011-07-20

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN109830538B ,2019-05-31

[9]

MOS器件及其制造方法 [P].

张鹏 .

中国专利 :CN120583714A ,2025-09-02

[10]

SGT器件及其制造方法 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109935517A ,2019-06-25

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