镶嵌结构的结构和形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510027762.5

申请日：

2015-01-20

公开(公告)号：

CN105870102B

公开(公告)日：

2016-08-17

发明(设计)人：

彭泰彥吴佳典郑价言

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101678622947 IPC(主分类):H01L 23/538 专利申请号:2015100277625 申请日:20150120
2016-08-17	公开	公开
2018-09-25	授权	授权

共 50 条

[1]

双镶嵌结构的结构和形成方法 [P].

彭泰彥 ;

谢志宏 .

中国专利 :CN105374772B ,2016-03-02

[2]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN101055421A ,2007-10-17

[3]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

徐载景 ;

张迎春 .

中国专利 :CN101295667A ,2008-10-29

[4]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

周俊卿 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102569167A ,2012-07-11

[5]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

宁先捷 .

中国专利 :CN100576499C ,2008-11-26

[6]

半导体器件结构的结构和形成方法 [P].

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN106252411A ,2016-12-21

[7]

双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 [P].

王琪 ;

周鸣 .

中国专利 :CN102054762A ,2011-05-11

[8]

双镶嵌结构的形成方法、半导体结构 [P].

王琪 .

中国专利 :CN102054761A ,2011-05-11

[9]

双镶嵌结构及其形成方法 [P].

王琪 .

中国专利 :CN102054751A ,2011-05-11

[10]

双镶嵌结构的形成方法 [P].

汪钉崇 ;

蓝受龙 ;

杨小明 .

中国专利 :CN100576496C ,2008-06-11

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