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SiC晶片的加工方法

被引：0
申请号：
CN202111367151.7
申请日：
2021-11-18
公开(公告)号：
CN114603727A
公开(公告)日：
2022-06-10
发明(设计)人：
灰本隆志
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
B28D502
IPC分类号：
B24B100 H01L2178 H01L21683 B23K2636 B23K2670
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
杨俊波;乔婉
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-06-10 公开 公开
共 50 条
[1]
SiC晶片的加工方法 [P]. 
铃木克彦 .
中国专利 :CN107305864B ,2017-10-31
[2]
SiC晶片和SiC晶片的制造方法 [P]. 
长屋正武 ;
神田贵裕 ;
冈本武志 ;
鸟见聪 ;
野上晓 ;
北畠真 .
中国专利 :CN112513348A ,2021-03-16
[3]
SiC晶片及SiC晶片的制造方法 [P]. 
藤川阳平 ;
鹰羽秀隆 .
中国专利 :CN110268106A ,2019-09-20
[4]
晶片的加工方法 [P]. 
中村胜 ;
北村宏 .
中国专利 :CN107316833B ,2017-11-03
[5]
晶片的加工方法 [P]. 
中村胜 ;
山冈久之 .
中国专利 :CN114613725A ,2022-06-10
[6]
SiC晶片的生成方法 [P]. 
平田和也 .
中国专利 :CN107877011B ,2018-04-06
[7]
SiC晶片的退火方法 [P]. 
储耀卿 ;
徐家跃 .
中国专利 :CN102817083A ,2012-12-12
[8]
晶片的加工方法 [P]. 
中村胜 .
中国专利 :CN111009465A ,2020-04-14
[9]
晶片的加工方法 [P]. 
台井晓治 .
中国专利 :CN102157446A ,2011-08-17
[10]
晶片的加工方法 [P]. 
铃木克彦 ;
伴祐人 .
中国专利 :CN109473360A ,2019-03-15
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