SiC晶片的生成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710740384.4

申请日：

2017-08-25

公开(公告)号：

CN107877011B

公开(公告)日：

2018-04-06

发明(设计)人：

平田和也

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B23K26402

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

庞东成;褚瑶杨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-06	公开	公开
2021-04-23	授权	授权
2019-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B23K 26/402 申请日:20170825

共 50 条

[1]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108145307B ,2018-06-12

[2]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108735578A ,2018-11-02

[3]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN107717248B ,2018-02-23

[4]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108372434B ,2018-08-07

[5]

SiC晶片的生成方法 [P].

山本凉兵 ;

平田和也 .

中国专利 :CN107790898A ,2018-03-13

[6]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

山本凉兵 .

中国专利 :CN108447783A ,2018-08-24

[7]

SiC 晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108161215A ,2018-06-15

[8]

多晶SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

西野曜子 .

中国专利 :CN106346148A ,2017-01-25

[9]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

森重幸雄 .

中国专利 :CN106945190B ,2017-07-14

[10]

晶片生成方法 [P].

西野曜子 ;

平田和也 .

中国专利 :CN107464778A ,2017-12-12

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