SiC晶片的生成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611183289.0

申请日：

2016-12-20

公开(公告)号：

CN106945190B

公开(公告)日：

2017-07-14

发明(设计)人：

平田和也森重幸雄

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21301

IPC分类号：

B28D700 B23K26402

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

庞东成;褚瑶杨

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-30	授权	授权
2019-01-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B28D 7/00 申请日:20161220
2017-07-14	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108372434B ,2018-08-07

[2]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN107877011B ,2018-04-06

[3]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108735578A ,2018-11-02

[4]

SiC晶片的生成方法 [P].

山本凉兵 ;

平田和也 .

中国专利 :CN107790898A ,2018-03-13

[5]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN107717248B ,2018-02-23

[6]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

山本凉兵 .

中国专利 :CN108447783A ,2018-08-24

[7]

SiC 晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108161215A ,2018-06-15

[8]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108145307B ,2018-06-12

[9]

多晶SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

西野曜子 .

中国专利 :CN106346148A ,2017-01-25

[10]

晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

西野曜子 ;

高桥邦充 .

中国专利 :CN105855734B ,2016-08-17

← 1 2 3 4 5 →