一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710178729.8
申请日
2007-12-04
公开(公告)号
CN101170116A
公开(公告)日
2008-04-30
发明(设计)人
朱一明 胡洪
申请人
申请人地址
100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室
IPC主分类号
H01L27115
IPC分类号
H01L23522 H01L218247 H01L21768
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人
许静
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P]. 
朱一明 ;
胡洪 .
中国专利 :CN100589248C ,2008-05-28
[2]
多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P]. 
朱一明 ;
胡洪 .
中国专利 :CN101217148A ,2008-07-09
[3]
多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P]. 
朱一明 ;
胡洪 .
中国专利 :CN101217147A ,2008-07-09
[4]
一次性可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P]. 
朱一明 ;
胡洪 .
中国专利 :CN101207134B ,2008-06-25
[5]
多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P]. 
朱一明 ;
胡洪 .
中国专利 :CN101217149A ,2008-07-09
[6]
一种可编程非易失性存储器 [P]. 
陈啸宸 .
中国专利 :CN114708901A ,2022-07-05
[7]
多次可编程非易失性存储器及其编程方法 [P]. 
郭术明 ;
王浩 ;
张楠 ;
李有慧 ;
李鹏渤 ;
聂筱敏 ;
杜一贺 ;
徐勐 ;
刘俊良 .
中国专利 :CN118737231A ,2024-10-01
[8]
多次可编程的非易失性存储器单元 [P]. 
F·K·奥米德-佐霍尔 ;
N·D·比伊 ;
B·莱 .
中国专利 :CN107924703B ,2018-04-17
[9]
可编程电阻存储器及其制造方法 [P]. 
何家骅 .
中国专利 :CN101000892B ,2007-07-18
[10]
高度集成的可编程非易失性存储器及其制造方法 [P]. 
权义弼 .
中国专利 :CN103022042A ,2013-04-03