多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710308408.5

申请日：

2007-12-29

公开(公告)号：

CN101217148A

公开(公告)日：

2008-07-09

发明(设计)人：

朱一明胡洪

申请人：

申请人地址：

100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L23522 H01L218247 H01L21768

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

许静

法律状态：

授权

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P].

朱一明 ;

胡洪 .

中国专利 :CN101217147A ,2008-07-09

[2]

多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P].

朱一明 ;

胡洪 .

中国专利 :CN101217149A ,2008-07-09

[3]

一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P].

朱一明 ;

胡洪 .

中国专利 :CN101170116A ,2008-04-30

[4]

一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P].

朱一明 ;

胡洪 .

中国专利 :CN100589248C ,2008-05-28

[5]

一次性可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P].

朱一明 ;

胡洪 .

中国专利 :CN101207134B ,2008-06-25

[6]

多次可编程非易失性存储器及其编程方法 [P].

郭术明 ;

王浩 ;

张楠 ;

李有慧 ;

李鹏渤 ;

聂筱敏 ;

杜一贺 ;

徐勐 ;

刘俊良 .

中国专利 :CN118737231A ,2024-10-01

[7]

多次可编程的非易失性存储器单元 [P].

F·K·奥米德-佐霍尔 ;

N·D·比伊 ;

B·莱 .

中国专利 :CN107924703B ,2018-04-17

[8]

可编程电阻存储器及其制造方法 [P].

何家骅 .

中国专利 :CN101000892B ,2007-07-18

[9]

高度集成的可编程非易失性存储器及其制造方法 [P].

权义弼 .

中国专利 :CN103022042A ,2013-04-03

[10]

可编程可抹除的非易失性存储器 [P].

许家荣 ;

孙文堂 .

中国专利 :CN110649026B ,2020-01-03

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	授权	授权
2010-07-28	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003515817 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2007103084085 变更事项:专利权人变更前:北京芯技佳易微电子科技有限公司变更后:北京兆易创新科技有限公司变更事项:地址变更前:100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室变更后:100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室
2008-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-04-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101570222405 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2007103084085 变更事项:专利权人变更前:北京兆易创新科技有限公司变更后:北京兆易创新科技股份有限公司变更事项:地址变更前:100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室变更后:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
2022-09-30	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/115 变更事项:专利权人变更前:北京兆易创新科技股份有限公司变更后:兆易创新科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层变更后:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院8号楼1至5层101
2008-07-09	公开	公开