一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810796522.5

申请日：

2018-07-19

公开(公告)号：

CN109003895B

公开(公告)日：

2018-12-14

发明(设计)人：

王德君秦福文杨超尹志鹏

申请人：

申请人地址：

116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

IPC主分类号：

H01L2104

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

大连星海专利事务所有限公司 21208

代理人：

王树本;徐雪莲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-14	公开	公开
2019-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/04 申请日:20180719
2021-06-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高SiC MOSFET器件高、低温稳定性的钝化方法 [P].

王德君 ;

孙雨浓 ;

杨超 ;

秦福文 .

中国专利 :CN109103078A ,2018-12-28

[2]

提高安全稳定性的SiC器件 [P].

王正 ;

杨程 ;

裘俊庆 ;

万胜堂 ;

王坤 ;

王毅 .

中国专利 :CN223310191U ,2025-09-05

[3]

一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P].

史志扬 ;

欧新华 ;

陈敏 ;

张波 ;

郎茂淳 .

中国专利 :CN118315431A ,2024-07-09

[4]

一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P].

史田超 ;

程海英 ;

钮应喜 ;

乔庆楠 ;

袁松 ;

史文华 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

钟敏 ;

章学磊 ;

左万胜 .

中国专利 :CN110473911B ,2024-03-12

[5]

一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P].

史田超 ;

程海英 ;

钮应喜 ;

乔庆楠 ;

袁松 ;

史文华 ;

张晓洪 ;

刘锦锦 ;

钟敏 ;

章学磊 ;

左万胜 .

中国专利 :CN110473911A ,2019-11-19

[6]

一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法 [P].

陈正佳 ;

盛况 ;

任娜 .

中国专利 :CN120711780A ,2025-09-26

[7]

一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法 [P].

陈正佳 ;

盛况 ;

任娜 .

中国专利 :CN120711780B ,2025-12-16

[8]

一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法 [P].

王德君 ;

孙雨浓 ;

杨超 ;

秦福文 .

中国专利 :CN109270423B ,2019-01-25

[9]

SiC MOSFET器件栅介质结构的制作方法及SiC MOSFET器件 [P].

肖凯 ;

谭舒铭 ;

陈潜 ;

蔡志宏 ;

郑凯 ;

郑博风 .

中国专利 :CN121240504A ,2025-12-30

[10]

一种SiC MOSFET器件及其制作方法 [P].

陈正佳 ;

盛况 ;

任娜 ;

计满意 .

中国专利 :CN120730784A ,2025-09-30

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