SiC/SiO2界面结构、SiCMOS器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210555334.X

申请日：

2022-05-20

公开(公告)号：

CN115036222A

公开(公告)日：

2022-09-09

发明(设计)人：

张凡贾宝楠张焱超

申请人：

申请人地址：

315412 浙江省宁波市余姚市三七市镇云山中路28号(余姚人才创业园内)(自主申报)

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21324 C23C1656 C23C1650 C23C1624

代理机构：

北京万思博知识产权代理有限公司 11694

代理人：

王惠;冀婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-09	公开	公开
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220520

共 50 条

[1]

SiC/SiO<sub>2</sub>界面结构、SiC MOS器件及其制备方法 [P].

张凡 ;

贾宝楠 ;

张焱超 .

中国专利 :CN115036222B ,2025-10-14

[2]

SiO2/SiC 结构中界面态的氮钝化 [P].

A·W·萨克斯勒 ;

M·K·达斯 .

中国专利 :CN100405558C ,2005-10-05

[3]

CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法 [P].

李国栋 ;

梁武 ;

熊翔 ;

张红波 ;

吴敏 .

中国专利 :CN102659451B ,2012-09-12

[4]

一维SiO2纳米材料及其制备方法 [P].

杜军 ;

李青青 ;

王锋 ;

丁瑜 ;

覃彩芹 .

中国专利 :CN106587079A ,2017-04-26

[5]

半导体结构及其制备方法和SiC MOSFET器件 [P].

张诗梦 ;

暴杰 ;

林翰东 ;

陈志玉 ;

李双媛 .

中国专利 :CN118943187A ,2024-11-12

[6]

利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面原位合成Ti3SiC2界面相的制备方法 [P].

成来飞 ;

杨劲松 ;

崔永静 ;

叶昉 ;

张立同 .

中国专利 :CN113087533B ,2021-07-09

[7]

一种SiC基DMOSFET器件及其制备方法 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109801959B ,2024-07-30

[8]

一种SiC基DMOSFET器件及其制备方法 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109801959A ,2019-05-24

[9]

一种SiO2气凝胶/SiC泡沫复合绝热材料及其制备方法 [P].

柳炀 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN109020469A ,2018-12-18

[10]

一种新颖纳米SiO2分离膜及其制备方法 [P].

龙英才 ;

程晓维 .

中国专利 :CN1562450A ,2005-01-12

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