SiC/SiO<sub>2</sub>界面结构、SiC MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210555334.X

申请日：

2022-05-20

公开(公告)号：

CN115036222B

公开(公告)日：

2025-10-14

发明(设计)人：

张凡贾宝楠张焱超

申请人：

浙江超晶晟锐光电有限公司

申请人地址：

315412 浙江省宁波市余姚市三七市镇云山中路28号(余姚人才创业园内)(自主申报)

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

C23C16/56 C23C16/50 C23C16/24

代理机构：

北京万思博知识产权代理有限公司 11694

代理人：

王惠;冀婷

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	授权	授权

共 50 条

[1]

SiC/SiO2界面结构、SiCMOS器件及其制备方法 [P].

张凡 ;

贾宝楠 ;

张焱超 .

中国专利 :CN115036222A ,2022-09-09

[2]

一种SiC<sub>f</sub>/MoS<sub>2</sub>/SiC高温结构吸波复合材料及其制备方法 [P].

黄智斌 ;

段士昌 ;

王婕 ;

牛颖婕 ;

折生阳 .

中国专利 :CN119930312A ,2025-05-06

[3]

一种SiC@SiO<sub>2</sub>纳米纤维气凝胶及其制备方法 [P].

陈勇强 ;

程宇 ;

胡兴朴 ;

宋礼猛 ;

王海龙 ;

范冰冰 ;

张锐 ;

牛露 ;

罗佳汶 ;

魏文琪 .

中国专利 :CN119551677A ,2025-03-04

[4]

一种电缆状结构SiO<sub>2</sub>@SiC复合吸波材料的制备方法 [P].

陈正杰 ;

谢锐 ;

马文会 ;

李绍元 ;

张亚坤 ;

于洁 ;

伍继君 .

中国专利 :CN119240703A ,2025-01-03

[5]

一种电缆状结构SiO<sub>2</sub>@SiC复合吸波材料的制备方法 [P].

陈正杰 ;

谢锐 ;

马文会 ;

李绍元 ;

张亚坤 ;

于洁 ;

伍继君 .

中国专利 :CN119240703B ,2025-09-19

[6]

一种SiO<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub>化学气相沉积制备方法 [P].

石新颖 ;

邵大伟 ;

许福朋 ;

于子翔 .

中国专利 :CN119640230A ,2025-03-18

[7]

一种轻质高强的ZrB<sub>2</sub>/SiC@SiO<sub>2</sub>泡沫陶瓷材料的制备方法 [P].

李宁 ;

程灿 ;

金鑫鑫 ;

李婧 ;

张帅 ;

易泰民 ;

刘艳松 ;

刘栋 ;

李星漳 .

中国专利 :CN120943665A ,2025-11-14

[8]

降低SiO<sub>2</sub>/4H-SiC界面态密度的方法及应用 [P].

赵德胜 ;

袁旭 ;

宗肖航 ;

李铭聪 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118762993A ,2024-10-11

[9]

一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109686667B ,2025-03-25

[10]

一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109686667A ,2019-04-26

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