一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910071222.5

申请日：

2019-01-25

公开(公告)号：

CN109686667A

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

张瑜洁李昀佶陈彤

申请人：

申请人地址：

100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331 H01L2134 H01L2910 H01L2920 H01L2924 H01L2906 H01L29739 H01L2978 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212

代理人：

王美花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109686667B ,2025-03-25

[2]

一种SiC基MOS器件 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN210156382U ,2020-03-17

[3]

制备SiC基MOS器件栅介质薄膜的方法 [P].

张峰 ;

申占伟 ;

李昀佶 ;

温正欣 ;

陈彤 .

中国专利 :CN107093548B ,2017-08-25

[4]

一种沟槽SiC基MOS器件及其制备方法 [P].

何欢 ;

张伟 ;

叶向华 .

中国专利 :CN117711947A ,2024-03-15

[5]

SiC/SiO<sub>2</sub>界面结构、SiC MOS器件及其制备方法 [P].

张凡 ;

贾宝楠 ;

张焱超 .

中国专利 :CN115036222B ,2025-10-14

[6]

一种SiC基MOS器件 [P].

王金秋 ;

关世瑛 .

中国专利 :CN213242540U ,2021-05-18

[7]

一种SiC基DMOSFET器件及其制备方法 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109801959B ,2024-07-30

[8]

一种SiC基DMOSFET器件及其制备方法 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109801959A ,2019-05-24

[9]

一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用 [P].

汉多科·林纳威赫 ;

钟宇 ;

韩吉胜 ;

徐明升 ;

崔鹏 ;

崔潆心 ;

李树强 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN116646242B ,2025-02-11

[10]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040A ,2025-03-25

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20190125
2019-04-26	公开	公开