制备SiC基MOS器件栅介质薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710261302.8

申请日：

2017-04-20

公开(公告)号：

CN107093548B

公开(公告)日：

2017-08-25

发明(设计)人：

张峰申占伟李昀佶温正欣陈彤

申请人：

申请人地址：

100192 北京市海淀区清河西小口路66号中关村东升科技园北领地B-1

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2104

代理机构：

北京卓孚知识产权代理事务所(普通合伙) 11523

代理人：

李亚;刘光明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101748779593 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2017102613028 申请日:20170420
2019-09-03	授权	授权
2017-08-25	公开	公开

共 50 条

[1]

用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法 [P].

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

刘兴昉 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103887163B ,2014-06-25

[2]

SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法 [P].

程新红 ;

王谦 ;

郑理 ;

沈玲燕 ;

张栋梁 ;

顾子悦 ;

钱茹 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN107527803A ,2017-12-29

[3]

一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109686667B ,2025-03-25

[4]

一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109686667A ,2019-04-26

[5]

SiC基器件的栅介质层结构及栅介质层的形成方法 [P].

姚金才 ;

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN106158601A ,2016-11-23

[6]

用于SiC基场效应晶体管的栅介质薄膜晶体管及其制备方法 [P].

李京波 ;

岳倩 ;

高伟 ;

王小周 ;

张峰 .

中国专利 :CN114530506A ,2022-05-24

[7]

MOS器件栅介质层制作方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN112466748A ,2021-03-09

[8]

SiC/SiO<sub>2</sub>界面结构、SiC MOS器件及其制备方法 [P].

张凡 ;

贾宝楠 ;

张焱超 .

中国专利 :CN115036222B ,2025-10-14

[9]

一种GaAs基MOS器件的制备方法 [P].

李爱东 ;

龚佑品 ;

刘晓杰 ;

吴迪 .

中国专利 :CN102024707A ,2011-04-20

[10]

MOS器件的制备方法及MOS器件 [P].

申占伟 ;

刘兴昉 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

闫果果 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN112117326B ,2020-12-22

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