共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
MOS器件栅介质层制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011361953.2
申请日：
2020-11-27
公开(公告)号：
CN112466748A
公开(公告)日：
2021-03-09
发明(设计)人：
唐怡
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-03-09 | 公开 | 公开 |
| 2021-03-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20201127 |