一种MOS器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410491401.5

申请日：

2024-04-23

公开(公告)号：

CN120857589A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

请求不公布姓名请求不公布姓名

申请人：

青岛澳柯玛云联信息技术有限公司

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太行山路2号

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/03 H10D86/01 H10D84/85 H10D64/27 H10D64/68 H10D30/01 H10D30/60

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

刘星

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20240423

共 50 条

[1]

MOS器件的制作方法 [P].

禹国宾 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102543743A ,2012-07-04

[2]

MOS器件及其制作方法 [P].

宋婉 ;

许昭昭 .

中国专利 :CN114267721A ,2022-04-01

[3]

单环MOS器件及其制作方法 [P].

刘东栋 ;

张洁 .

中国专利 :CN112530806A ,2021-03-19

[4]

MOS器件的制作方法 [P].

于书坤 ;

韦庆松 .

中国专利 :CN104465385A ,2015-03-25

[5]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

张艳红 .

中国专利 :CN101996885A ,2011-03-30

[6]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

肖德元 ;

季明华 .

中国专利 :CN101930920A ,2010-12-29

[7]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

钱佳成 ;

冯超 ;

刘秀勇 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN113628972A ,2021-11-09

[8]

MOS器件栅介质层制作方法 [P].

唐怡 .

中国专利 :CN112466748A ,2021-03-09

[9]

沟槽型MOS器件的制作方法 [P].

钱佳成 ;

冯超 ;

刘秀勇 ;

陈正嵘 .

中国专利 :CN113628972B ,2024-06-18

[10]

一种DMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN103050405B ,2013-04-17

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