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用于功率MOS器件的层间介质层结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010716889.9
申请日：
2020-07-23
公开(公告)号：
CN111725180A
公开(公告)日：
2020-09-29
发明(设计)人：
刘秀勇
陈正嵘
吴长明
张继亮
金立培
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L23532
IPC分类号：
H01L21768
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-09-29 | 公开 | 公开 |
| 2020-10-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/532 申请日:20200723 |