层间介质层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810041366.8

申请日：

2008-08-04

公开(公告)号：

CN101645411A

公开(公告)日：

2010-02-10

发明(设计)人：

邓永平

申请人：

申请人地址：

201203上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2131 H01L213105

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101000902018 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2008100413668 申请日:20080804
2012-03-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101304940679 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2008100413668 公开日:20100210
2010-02-10	公开	公开

共 50 条

[1]

层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件 [P].

王昆 .

中国专利 :CN105448888B ,2016-03-30

[2]

DMOS器件的层间介质层及其制作方法 [P].

付超群 ;

许隽 ;

金立培 .

中国专利 :CN112635329A ,2021-04-09

[3]

硬掩膜层的制作方法、层间介质层的制作方法及半导体器件 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN105990105B ,2016-10-05

[4]

用于功率MOS器件的层间介质层结构及其制作方法 [P].

刘秀勇 ;

陈正嵘 ;

吴长明 ;

张继亮 ;

金立培 .

中国专利 :CN111725180A ,2020-09-29

[5]

形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法 [P].

邵群 ;

陈枫 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102969237B ,2013-03-13

[6]

层间介质层的刻蚀方法 [P].

戴鸿冉 .

中国专利 :CN110071110A ,2019-07-30

[7]

层间介质层的填充方法 [P].

郭振强 .

中国专利 :CN108389831A ,2018-08-10

[8]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

[9]

层间介质层的形成方法 [P].

金立培 ;

李宗旭 ;

许隽 ;

张严 .

中国专利 :CN114823288A ,2022-07-29

[10]

层间介质层的形成方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119419170A ,2025-02-11

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