层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410415587.2

申请日：

2014-08-21

公开(公告)号：

CN105448888B

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

王昆

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;张永明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	公开	公开
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657717005 IPC(主分类):H01L 23/528 专利申请号:2014104155872 申请日:20140821
2019-02-26	授权	授权

共 50 条

[1]

DMOS器件的层间介质层及其制作方法 [P].

付超群 ;

许隽 ;

金立培 .

中国专利 :CN112635329A ,2021-04-09

[2]

层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102299095A ,2011-12-28

[3]

沉积方法、层间介质层及半导体器件 [P].

林东 ;

张玉 ;

宁振佳 ;

单伟中 ;

曹涯路 .

中国专利 :CN105575777B ,2016-05-11

[4]

硬掩膜层的制作方法、层间介质层的制作方法及半导体器件 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN105990105B ,2016-10-05

[5]

层间介质层的制作方法 [P].

邓永平 .

中国专利 :CN101645411A ,2010-02-10

[6]

层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03

[7]

形成层间介质层的方法及半导体器件 [P].

钟纯青 .

中国专利 :CN120527302A ,2025-08-22

[8]

用于功率MOS器件的层间介质层结构及其制作方法 [P].

刘秀勇 ;

陈正嵘 ;

吴长明 ;

张继亮 ;

金立培 .

中国专利 :CN111725180A ,2020-09-29

[9]

一种改善半导体器件层间介质层隔离的方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN104253038B ,2014-12-31

[10]

半导体器件中隔离层或层间介质层的平整方法 [P].

王明卿 .

中国专利 :CN1292467C ,2005-10-12

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