一种改善半导体器件层间介质层隔离的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310269279.9

申请日：

2013-06-30

公开(公告)号：

CN104253038B

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

李健

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L21314

IPC分类号：

H01L21762 H01L21768

代理机构：

无锡互维知识产权代理有限公司 32236

代理人：

王爱伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-31	公开	公开
2017-05-10	授权	授权
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596396780 IPC(主分类):H01L 21/314 专利申请号:2013102692799 申请日:20130630

共 50 条

[1]

层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件 [P].

王昆 .

中国专利 :CN105448888B ,2016-03-30

[2]

半导体器件中隔离层或层间介质层的平整方法 [P].

王明卿 .

中国专利 :CN1292467C ,2005-10-12

[3]

沉积方法、层间介质层及半导体器件 [P].

林东 ;

张玉 ;

宁振佳 ;

单伟中 ;

曹涯路 .

中国专利 :CN105575777B ,2016-05-11

[4]

形成层间介质层的方法及半导体器件 [P].

钟纯青 .

中国专利 :CN120527302A ,2025-08-22

[5]

层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03

[6]

层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102299095A ,2011-12-28

[7]

一种层间介质层的形成方法及半导体器件的形成方法 [P].

胡建强 ;

邹陆军 ;

李绍彬 .

中国专利 :CN105845619A ,2016-08-10

[8]

硬掩膜层的制作方法、层间介质层的制作方法及半导体器件 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN105990105B ,2016-10-05

[9]

半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构 [P].

杨明 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118231225A ,2024-06-21

[10]

一种改善层间介质层空洞的方法 [P].

黄胜男 ;

罗清威 ;

李赟 .

中国专利 :CN108630526B ,2018-10-09

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