层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010215116.9

申请日：

2010-06-22

公开(公告)号：

CN102299095A

公开(公告)日：

2011-12-28

发明(设计)人：

钟汇才梁擎擎

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23528 H01L23532

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

马佑平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-28	公开	公开
2015-09-16	授权	授权
2012-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101185312321 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010102151169 申请日:20100622

共 50 条

[1]

层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件 [P].

王昆 .

中国专利 :CN105448888B ,2016-03-30

[2]

沉积方法、层间介质层及半导体器件 [P].

林东 ;

张玉 ;

宁振佳 ;

单伟中 ;

曹涯路 .

中国专利 :CN105575777B ,2016-05-11

[3]

层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03

[4]

形成层间介质层的方法及半导体器件 [P].

钟纯青 .

中国专利 :CN120527302A ,2025-08-22

[5]

一种改善半导体器件层间介质层隔离的方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN104253038B ,2014-12-31

[6]

半导体器件中隔离层或层间介质层的平整方法 [P].

王明卿 .

中国专利 :CN1292467C ,2005-10-12

[7]

金属间介质层及其制造方法及半导体器件 [P].

冯冰 ;

张建栋 .

中国专利 :CN113539836A ,2021-10-22

[8]

金属间介质层及其制造方法及半导体器件 [P].

冯冰 ;

张建栋 .

中国专利 :CN113539836B ,2025-01-21

[9]

硬掩膜层的制作方法、层间介质层的制作方法及半导体器件 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN105990105B ,2016-10-05

[10]

半导体的层间介质层的形成方法及半导体结构 [P].

杨明 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN118231225A ,2024-06-21

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