硬掩膜层的制作方法、层间介质层的制作方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510041746.1

申请日：

2015-01-27

公开(公告)号：

CN105990105B

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

周鸣

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L21768 H01L23522

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;张永明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-08	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686681145 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2015100417461 申请日:20150127
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件 [P].

王昆 .

中国专利 :CN105448888B ,2016-03-30

[2]

层间介质层的制作方法 [P].

邓永平 .

中国专利 :CN101645411A ,2010-02-10

[3]

互连层的制作方法及半导体器件的制作方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104934364A ,2015-09-23

[4]

DMOS器件的层间介质层及其制作方法 [P].

付超群 ;

许隽 ;

金立培 .

中国专利 :CN112635329A ,2021-04-09

[5]

硬掩膜的制作方法以及半导体器件的制作方法 [P].

张子玉 ;

梁瑶 ;

熊少游 ;

王广庆 .

中国专利 :CN113725072A ,2021-11-30

[6]

硬掩膜的制作方法以及半导体器件的制作方法 [P].

张子玉 ;

梁瑶 ;

熊少游 ;

王广庆 .

中国专利 :CN113725072B ,2024-04-02

[7]

沉积方法、层间介质层及半导体器件 [P].

林东 ;

张玉 ;

宁振佳 ;

单伟中 ;

曹涯路 .

中国专利 :CN105575777B ,2016-05-11

[8]

半导体器件的器件层制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102054697A ,2011-05-11

[9]

多倍掩膜层的制作方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110581066B ,2024-06-21

[10]

多倍掩膜层的制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110581066A ,2019-12-17

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