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金属间介质层及其制造方法及半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010289992.X
申请日
:
2020-04-14
公开(公告)号
:
CN113539836A
公开(公告)日
:
2021-10-22
发明(设计)人
:
冯冰
张建栋
申请人
:
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
:
H01L2148
IPC分类号
:
H01L23498
代理机构
:
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
虞凌霄
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-11-09
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20200414
2021-10-22
公开
公开
共 50 条
[1]
金属间介质层及其制造方法及半导体器件
[P].
冯冰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
冯冰
;
张建栋
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
无锡华润上华科技有限公司
无锡华润上华科技有限公司
张建栋
.
中国专利
:CN113539836B
,2025-01-21
[2]
金属间介质层形成方法及半导体器件
[P].
程广春
论文数:
0
引用数:
0
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0
程广春
;
冯凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
冯凯
.
中国专利
:CN102354664A
,2012-02-15
[3]
沉积方法、层间介质层及半导体器件
[P].
林东
论文数:
0
引用数:
0
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0
林东
;
张玉
论文数:
0
引用数:
0
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0
张玉
;
宁振佳
论文数:
0
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0
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0
宁振佳
;
单伟中
论文数:
0
引用数:
0
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0
单伟中
;
曹涯路
论文数:
0
引用数:
0
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0
曹涯路
.
中国专利
:CN105575777B
,2016-05-11
[4]
层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法
[P].
钟汇才
论文数:
0
引用数:
0
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0
钟汇才
;
梁擎擎
论文数:
0
引用数:
0
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0
梁擎擎
.
中国专利
:CN102299095A
,2011-12-28
[5]
层间介质层、半导体器件及其形成方法
[P].
李健
论文数:
0
引用数:
0
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0
李健
.
中国专利
:CN101661898A
,2010-03-03
[6]
半导体器件及其栅介质层制造方法
[P].
吴孝嘉
论文数:
0
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0
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0
吴孝嘉
;
房世林
论文数:
0
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0
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0
房世林
;
陈正培
论文数:
0
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陈正培
;
杨育明
论文数:
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0
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杨育明
;
黄竹
论文数:
0
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0
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0
黄竹
.
中国专利
:CN102737970A
,2012-10-17
[7]
介质层制备方法、半导体器件制备方法及半导体器件
[P].
田野
论文数:
0
引用数:
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0
机构:
华南理工大学
华南理工大学
田野
;
彭雄
论文数:
0
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0
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机构:
华南理工大学
华南理工大学
彭雄
;
周长见
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华南理工大学
华南理工大学
周长见
.
中国专利
:CN121171978A
,2025-12-19
[8]
栅极介质层及其制造方法、半导体器件及其制造方法
[P].
吴汉明
论文数:
0
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0
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0
吴汉明
;
高大为
论文数:
0
引用数:
0
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0
高大为
.
中国专利
:CN101620995A
,2010-01-06
[9]
半导体器件金属连线的制造方法
[P].
吴佳宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
吴佳宏
.
中国专利
:CN112582339A
,2021-03-30
[10]
半导体器件金属连线的制造方法
[P].
吴佳宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海集成电路研发中心有限公司
上海集成电路研发中心有限公司
吴佳宏
.
中国专利
:CN112582339B
,2024-12-06
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