金属间介质层及其制造方法及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010289992.X
申请日
2020-04-14
公开(公告)号
CN113539836A
公开(公告)日
2021-10-22
发明(设计)人
冯冰 张建栋
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
H01L2148
IPC分类号
H01L23498
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
虞凌霄
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
金属间介质层及其制造方法及半导体器件 [P]. 
冯冰 ;
张建栋 .
中国专利 :CN113539836B ,2025-01-21
[2]
金属间介质层形成方法及半导体器件 [P]. 
程广春 ;
冯凯 .
中国专利 :CN102354664A ,2012-02-15
[3]
沉积方法、层间介质层及半导体器件 [P]. 
林东 ;
张玉 ;
宁振佳 ;
单伟中 ;
曹涯路 .
中国专利 :CN105575777B ,2016-05-11
[4]
层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法 [P]. 
钟汇才 ;
梁擎擎 .
中国专利 :CN102299095A ,2011-12-28
[5]
层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P]. 
李健 .
中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03
[6]
半导体器件及其栅介质层制造方法 [P]. 
吴孝嘉 ;
房世林 ;
陈正培 ;
杨育明 ;
黄竹 .
中国专利 :CN102737970A ,2012-10-17
[7]
介质层制备方法、半导体器件制备方法及半导体器件 [P]. 
田野 ;
彭雄 ;
周长见 .
中国专利 :CN121171978A ,2025-12-19
[8]
栅极介质层及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
吴汉明 ;
高大为 .
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[9]
半导体器件金属连线的制造方法 [P]. 
吴佳宏 .
中国专利 :CN112582339A ,2021-03-30
[10]
半导体器件金属连线的制造方法 [P]. 
吴佳宏 .
中国专利 :CN112582339B ,2024-12-06