层间介质层的填充方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810106255.4

申请日：

2018-02-02

公开(公告)号：

CN108389831A

公开(公告)日：

2018-08-10

发明(设计)人：

郭振强

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20180202
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20180810
2018-08-10	公开	公开

共 50 条

[1]

改善NORD Flash层间介质层填充的方法 [P].

王会一 ;

周海洋 ;

程国庆 ;

沈权豪 .

中国专利 :CN117998862A ,2024-05-07

[2]

监测SRAM层间介质层填充的方法 [P].

苏步春 ;

杨辉 ;

车俐佳 ;

李俊杰 .

中国专利 :CN119252754A ,2025-01-03

[3]

层间介质层的刻蚀方法 [P].

戴鸿冉 .

中国专利 :CN110071110A ,2019-07-30

[4]

改善覆盖MIM电容的层间介质层填充形态的方法 [P].

王妍 ;

唐阿鑫 ;

管毓崧 ;

李琳 ;

李宗旭 ;

梁金娥 ;

张守龙 .

中国专利 :CN115579349A ,2023-01-06

[5]

形成层间介质层的方法及半导体器件 [P].

钟纯青 .

中国专利 :CN120527302A ,2025-08-22

[6]

层间介质层、层间介质层的制作方法和半导体器件 [P].

王昆 .

中国专利 :CN105448888B ,2016-03-30

[7]

一种用于闪存器件的层间介质层填充方法 [P].

马开阳 ;

高毅 ;

左睿昊 ;

周婧涵 .

中国专利 :CN118265298A ,2024-06-28

[8]

改善层间介质层厚度均匀性的方法 [P].

张磊 ;

王晓日 ;

禹楼飞 ;

高国磊 .

中国专利 :CN115527859A ,2022-12-27

[9]

层间介质层的制作方法 [P].

邓永平 .

中国专利 :CN101645411A ,2010-02-10

[10]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

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