一种GaAs基MOS器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010530165.1

申请日：

2010-11-03

公开(公告)号：

CN102024707A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

李爱东龚佑品刘晓杰吴迪

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

贺翔

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	授权	授权
2011-04-20	公开	公开
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077290639 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010105301651 申请日:20101103
2015-12-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101638878914 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2010105301651 申请日:20101103 授权公告日:20120523 终止日期:20141103

共 50 条

[1]

ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法 [P].

李学飞 ;

李爱东 ;

曹燕强 ;

吴迪 .

中国专利 :CN102492932A ,2012-06-13

[2]

GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

刘桂明 .

中国专利 :CN102983172A ,2013-03-20

[3]

等效氧化物厚度为亚纳米的Ge基MOS器件的制备方法 [P].

李爱东 ;

李学飞 ;

曹燕强 ;

吴迪 .

中国专利 :CN102543751A ,2012-07-04

[4]

制备SiC基MOS器件栅介质薄膜的方法 [P].

张峰 ;

申占伟 ;

李昀佶 ;

温正欣 ;

陈彤 .

中国专利 :CN107093548B ,2017-08-25

[5]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040A ,2025-03-25

[6]

MOS器件和MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

邱舜国 ;

宋旋坤 ;

刘颖聪 .

中国专利 :CN119698040B ,2025-11-11

[7]

用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法 [P].

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

刘兴昉 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103887163B ,2014-06-25

[8]

GaAs基pHEMT器件及其制备方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN104966732B ,2015-10-07

[9]

一种集成JFET的MOS器件制备方法及MOS器件 [P].

刘辉 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN117497488B ,2024-03-15

[10]

一种集成JFET的MOS器件制备方法及MOS器件 [P].

刘辉 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN117497488A ,2024-02-02

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