ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110394348.X

申请日：

2011-12-02

公开(公告)号：

CN102492932A

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

李学飞李爱东曹燕强吴迪

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

C23C1602

IPC分类号：

C23C1644 H01L2102 H01L21285 H01L21336

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

贺翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-13	公开	公开
2014-01-08	授权	授权
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101298913273 IPC(主分类):C23C 16/02 专利申请号:201110394348X 申请日:20111202
2016-01-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101643313861 IPC(主分类):C23C 16/02 专利号:ZL201110394348X 申请日:20111202 授权公告日:20140108 终止日期:20141202

共 50 条

[1]

一种GaAs基MOS器件的制备方法 [P].

李爱东 ;

龚佑品 ;

刘晓杰 ;

吴迪 .

中国专利 :CN102024707A ,2011-04-20

[2]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法及得到的锗基MOS器件 [P].

陆骐峰 ;

吴京锦 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN105374689A ,2016-03-02

[3]

等效氧化物厚度为亚纳米的Ge基MOS器件的制备方法 [P].

李爱东 ;

李学飞 ;

曹燕强 ;

吴迪 .

中国专利 :CN102543751A ,2012-07-04

[4]

用于SiC基MOS器件栅介质薄膜的制备方法 [P].

张峰 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

刘兴昉 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN103887163B ,2014-06-25

[5]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法 [P].

黄如 ;

林猛 ;

安霞 ;

张兴 .

中国专利 :CN102306625A ,2012-01-04

[6]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法 [P].

安霞 ;

黄如 ;

林猛 ;

郭岳 ;

李志强 ;

张兴 .

中国专利 :CN102206799A ,2011-10-05

[7]

ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法 [P].

魏志鹏 ;

田珊珊 ;

方铉 ;

唐吉龙 ;

李金华 ;

方芳 ;

楚学影 ;

王晓华 ;

王菲 .

中国专利 :CN104143760A ,2014-11-12

[8]

GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

刘桂明 .

中国专利 :CN102983172A ,2013-03-20

[9]

制备SiC基MOS器件栅介质薄膜的方法 [P].

张峰 ;

申占伟 ;

李昀佶 ;

温正欣 ;

陈彤 .

中国专利 :CN107093548B ,2017-08-25

[10]

GaAs基pHEMT器件及其制备方法 [P].

陈一峰 .

中国专利 :CN104966732B ,2015-10-07

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