一种SiC基MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022768415.7

申请日：

2020-11-26

公开(公告)号：

CN213242540U

公开(公告)日：

2021-05-18

发明(设计)人：

王金秋关世瑛

申请人：

申请人地址：

201600 上海市松江区新浜镇新绿路398号

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L2316 H01L2978

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SiC基MOS器件 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN210156382U ,2020-03-17

[2]

一种SiC-MOS器件结构 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN210805778U ,2020-06-19

[3]

一种锗基MOS器件 [P].

陆骐峰 ;

吴京锦 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN205177850U ,2016-04-20

[4]

一种SiC基MOS器件的制作方法 [P].

吴苏州 ;

李晓云 ;

陈俊孚 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN111128745A ,2020-05-08

[5]

一种沟槽SiC基MOS器件及其制备方法 [P].

何欢 ;

张伟 ;

叶向华 .

中国专利 :CN117711947A ,2024-03-15

[6]

一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109686667B ,2025-03-25

[7]

一种SiC基MOS器件及其制备方法和应用 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN109686667A ,2019-04-26

[8]

一种SiC基DMOSFET器件 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN209963064U ,2020-01-17

[9]

一种基于SIC的高压MOS器件 [P].

陈利 .

中国专利 :CN214176043U ,2021-09-10

[10]

制备SiC基MOS器件栅介质薄膜的方法 [P].

张峰 ;

申占伟 ;

李昀佶 ;

温正欣 ;

陈彤 .

中国专利 :CN107093548B ,2017-08-25

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