一种锗基MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201520779331.X

申请日：

2015-10-09

公开(公告)号：

CN205177850U

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

陆骐峰吴京锦赵策洲

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号

IPC主分类号：

H01L2951

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

范晴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-04-20	授权	授权

共 50 条

[1]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法及得到的锗基MOS器件 [P].

陆骐峰 ;

吴京锦 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN105374689A ,2016-03-02

[2]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法 [P].

黄如 ;

林猛 ;

安霞 ;

张兴 .

中国专利 :CN102306625A ,2012-01-04

[3]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法 [P].

安霞 ;

黄如 ;

林猛 ;

郭岳 ;

李志强 ;

张兴 .

中国专利 :CN102206799A ,2011-10-05

[4]

一种锗基NMOS器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106601816A ,2017-04-26

[5]

一种SiC基MOS器件 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN210156382U ,2020-03-17

[6]

一种SiC基MOS器件 [P].

王金秋 ;

关世瑛 .

中国专利 :CN213242540U ,2021-05-18

[7]

一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106783617A ,2017-05-31

[8]

一种Ge基MOS器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106601587A ,2017-04-26

[9]

一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构 [P].

王勇 ;

王瑛 ;

丁超 .

中国专利 :CN106057904A ,2016-10-26

[10]

实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法 [P].

黎明 ;

李敏 ;

黄如 ;

安霞 ;

张兴 .

中国专利 :CN102655112B ,2012-09-05

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