一种锗基NMOS器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611072384.3

申请日：

2016-11-29

公开(公告)号：

CN106601816A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

刘丽蓉王勇丁超

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6楼607室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L29417 H01L2906

代理机构：

广东莞信律师事务所 44332

代理人：

曾秋梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721567176 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016110723843 申请日:20161129
2017-04-26	公开	公开
2020-06-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20170426

共 50 条

[1]

一种锗基纳米线沟道NMOS器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106486542A ,2017-03-08

[2]

一种锗基NMOS器件及其制备方法 [P].

黄如 ;

李志强 ;

安霞 ;

郭岳 ;

张兴 .

中国专利 :CN102227001A ,2011-10-26

[3]

一种锗基NMOS器件及其制备方法 [P].

黄如 ;

李志强 ;

安霞 ;

郭岳 ;

张兴 .

中国专利 :CN102222687B ,2011-10-19

[4]

一种锗基MOS器件 [P].

陆骐峰 ;

吴京锦 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN205177850U ,2016-04-20

[5]

一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构 [P].

王勇 ;

王瑛 ;

丁超 .

中国专利 :CN106057904A ,2016-10-26

[6]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法及得到的锗基MOS器件 [P].

陆骐峰 ;

吴京锦 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN105374689A ,2016-03-02

[7]

ESD NMOS器件结构 [P].

颜丙勇 ;

杜宏亮 .

中国专利 :CN106024896A ,2016-10-12

[8]

NMOS器件结构及NMOS器件结构的形成方法 [P].

汪维金 ;

刘嘉琦 ;

蒋小涵 ;

黄春妮 ;

谢静怡 .

中国专利 :CN120417435A ,2025-08-01

[9]

一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106783941A ,2017-05-31

[10]

一种硅基锗纳米鳍状结构 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106711226A ,2017-05-24

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