一种锗基NMOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110171004.2

申请日：

2011-06-23

公开(公告)号：

CN102222687B

公开(公告)日：

2011-10-19

发明(设计)人：

黄如李志强安霞郭岳张兴

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L2947

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360

代理人：

苏爱华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101145712111 IPC(主分类):H01L 29/47 专利申请号:2011101710042 申请日:20110623
2012-12-19	授权	授权
2011-10-19	公开	公开
2013-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101616849702 IPC(主分类):H01L 29/47 专利号:ZL2011101710042 变更事项:专利权人变更前权利人:北京大学变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司变更事项:地址变更前权利人:100871 北京市海淀区颐和园路5号变更后权利人:100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号变更事项:专利权人变更前权利人:无变更后权利人:北京大学登记生效日:20130529

共 50 条

[1]

一种锗基NMOS器件及其制备方法 [P].

黄如 ;

李志强 ;

安霞 ;

郭岳 ;

张兴 .

中国专利 :CN102227001A ,2011-10-26

[2]

一种锗基NMOS器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106601816A ,2017-04-26

[3]

一种适于锗基器件的界面处理方法 [P].

黄如 ;

李敏 ;

安霞 ;

黎明 ;

林猛 ;

张兴 .

中国专利 :CN102664144B ,2012-09-12

[4]

一种锗基纳米线沟道NMOS器件结构 [P].

刘丽蓉 ;

王勇 ;

丁超 .

中国专利 :CN106486542A ,2017-03-08

[5]

一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法 [P].

李志强 ;

郭岳 ;

安霞 ;

云全新 ;

黄英龙 ;

黄如 ;

张兴 .

中国专利 :CN102136428B ,2011-07-27

[6]

NMOS器件及其制备方法 [P].

李梦珂 ;

周旭亮 ;

于红艳 ;

李士颜 ;

米俊萍 ;

潘教青 .

中国专利 :CN103177971B ,2013-06-26

[7]

一种锗基肖特基晶体管的制备方法 [P].

郭岳 ;

安霞 ;

黄如 ;

张兴 .

中国专利 :CN101635262A ,2010-01-27

[8]

一种NMOS器件及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

胡君 ;

钱文生 ;

韩峰 ;

石晶 ;

陈雄斌 .

中国专利 :CN103094339A ,2013-05-08

[9]

一种半导体锗基衬底材料及其制备方法 [P].

郭岳 ;

安霞 ;

杜菲 ;

黄如 ;

张兴 .

中国专利 :CN102237369A ,2011-11-09

[10]

应变GeSn NMOS器件及其制备方法 [P].

张洁 ;

宋建军 ;

任远 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107818978B ,2018-03-20

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