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应变GeSn NMOS器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711112559.3
申请日：
2017-02-10
公开(公告)号：
CN107818978B
公开(公告)日：
2018-03-20
发明(设计)人：
张洁 宋建军 任远 胡辉勇 宣荣喜 舒斌 张鹤鸣
申请人：
申请人地址：
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号：
H01L2706
IPC分类号：
H01L218249
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-03-20 公开 公开
2018-04-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20170210
2020-07-31 授权 授权
共 50 条
[1]
应变GeSn CMOS器件及其制备方法 [P]. 
张洁 ;
宋建军 ;
任远 ;
胡辉勇 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
张鹤鸣 .
中国专利 :CN107833886A ,2018-03-23
[2]
应变GeSn PMOS器件及其制备方法 [P]. 
张洁 ;
宋建军 ;
任远 ;
胡辉勇 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
张鹤鸣 .
中国专利 :CN107818977A ,2018-03-20
[3]
基于压应变Ge材料NMOS器件及其制备方法 [P]. 
左瑜 .
中国专利 :CN107919288A ,2018-04-17
[4]
应变Ge倒梯形栅NMOS器件及制备方法 [P]. 
王颖 ;
魏益民 .
中国专利 :CN105140125A ,2015-12-09
[5]
NMOS器件及其制备方法 [P]. 
李梦珂 ;
周旭亮 ;
于红艳 ;
李士颜 ;
米俊萍 ;
潘教青 .
中国专利 :CN103177971B ,2013-06-26
[6]
应变NMOS器件以及应变CMOS器件的制造方法 [P]. 
吴汉明 ;
王国华 .
中国专利 :CN101593701B ,2009-12-02
[7]
应变GeCMOS器件及其制备方法 [P]. 
左瑜 .
中国专利 :CN107968043A ,2018-04-27
[8]
NMOS器件的制备方法 [P]. 
梁启超 ;
蔡彬 ;
章晶 ;
黄冠群 .
中国专利 :CN111370313A ,2020-07-03
[9]
NMOS器件 [P]. 
尹晓雪 .
中国专利 :CN208970514U ,2019-06-11
[10]
一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件及其制备方法 [P]. 
刘伟峰 ;
张栋 ;
宋建军 .
中国专利 :CN113517348A ,2021-10-19
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