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一种直接带隙GeSn增强型nMOS器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110720838.8
申请日：
2021-06-28
公开(公告)号：
CN113517348A
公开(公告)日：
2021-10-19
发明(设计)人：
刘伟峰 张栋 宋建军
申请人：
申请人地址：
241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29165 H01L21336
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
刘长春
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-11-05 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210628
2021-10-19 公开 公开
共 50 条
[1]
一种直接带隙GeSn CMOS器件及其制备方法 [P]. 
刘伟峰 ;
张士琦 ;
宋建军 .
中国专利 :CN113506802A ,2021-10-15
[2]
一种直接带隙GeSn CMOS器件及其制备方法 [P]. 
刘伟峰 ;
张士琦 ;
宋建军 .
中国专利 :CN113506802B ,2024-08-06
[3]
基于LRC的直接带隙GeSn互补型TFET器件及其制备方法 [P]. 
张捷 .
中国专利 :CN107611003A ,2018-01-19
[4]
应变GeSn NMOS器件及其制备方法 [P]. 
张洁 ;
宋建军 ;
任远 ;
胡辉勇 ;
宣荣喜 ;
舒斌 ;
张鹤鸣 .
中国专利 :CN107818978B ,2018-03-20
[5]
一种增强型HEMT器件结构及其制备方法 [P]. 
陈财 ;
蔡勇 ;
张宝顺 ;
邓旭光 ;
张丽 ;
林文魁 .
中国专利 :CN114203551A ,2022-03-18
[6]
基于LRC的直接带隙GeSnP型TFET器件及其制备方法 [P]. 
张捷 .
中国专利 :CN107658339A ,2018-02-02
[7]
一种GaN基增强型MOSHFET器件及其制备方法 [P]. 
刘扬 ;
姚尧 ;
张佰君 .
中国专利 :CN102368501A ,2012-03-07
[8]
基于铁电栅介质的增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法 [P]. 
黄永丹 ;
方寒冰 ;
罗旭光 ;
胡友德 ;
王新朋 ;
童祎 .
中国专利 :CN120916471A ,2025-11-07
[9]
一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法 [P]. 
龚建彪 ;
陈兴 ;
谢雨峰 ;
万瑾锡 .
中国专利 :CN119835958A ,2025-04-15
[10]
一种pGaN栅增强型器件及其自终止刻蚀方法 [P]. 
龚建彪 ;
陈兴 ;
谢雨峰 ;
万瑾锡 .
中国专利 :CN119835958B ,2025-12-02
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