一种GaN基增强型MOSHFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110321887.0

申请日：

2011-10-20

公开(公告)号：

CN102368501A

公开(公告)日：

2012-03-07

发明(设计)人：

刘扬姚尧张佰君

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈卫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-07	公开	公开
2012-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101227123359 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2011103218870 申请日:20111020
2013-11-27	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法 [P].

刘扬 ;

沈震 ;

张佰君 .

中国专利 :CN102386223B ,2012-03-21

[2]

GaN增强型MISFET器件及其制备方法 [P].

刘扬 ;

贺致远 ;

姚尧 .

中国专利 :CN102082176A ,2011-06-01

[3]

一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法 [P].

刘扬 ;

张金城 ;

贺致远 ;

张佰君 .

中国专利 :CN102856374B ,2013-01-02

[4]

增强型GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109545851A ,2019-03-29

[5]

一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

贾利芳 ;

何志 ;

刘志强 ;

李迪 ;

樊中朝 ;

程哲 ;

梁亚楠 ;

王晓东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN104465748B ,2015-03-25

[6]

一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

贾利芳 ;

何志 ;

刘志强 ;

李迪 ;

樊中朝 ;

程哲 ;

梁亚楠 ;

王晓东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN104393045B ,2015-03-04

[7]

一种GaN基增强型垂直HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113611731A ,2021-11-05

[8]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[9]

p-GaN基增强型HEMT器件 [P].

金峻渊 ;

魏进 .

中国专利 :CN108511522A ,2018-09-07

[10]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

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