一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410708477.5

申请日：

2014-11-28

公开(公告)号：

CN104465748B

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-14	授权	授权
2018-11-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20141128 授权公告日:20170714 终止日期:20171128
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607384618 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2014107084775 申请日:20141128
2015-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

贾利芳 ;

何志 ;

刘志强 ;

李迪 ;

樊中朝 ;

程哲 ;

梁亚楠 ;

王晓东 ;

杨富华 .

中国专利 :CN104393045B ,2015-03-04

[2]

一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法和应用 [P].

李国强 ;

吴能滔 ;

邢志恒 ;

李善杰 ;

罗玲 .

中国专利 :CN114725186A ,2022-07-08

[3]

一种增强型GaN基HEMT器件 [P].

陈丽香 ;

孙云飞 ;

孙佳惟 ;

阙妙玲 ;

吴靖 ;

刘传洋 .

中国专利 :CN113809150A ,2021-12-17

[4]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[5]

一种GaN基增强型垂直HEMT器件及其制备方法 [P].

李祥东 ;

韩占飞 ;

刘苏杭 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113611731A ,2021-11-05

[6]

增强型GaN基HEMT器件、器件外延及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113782600A ,2021-12-10

[7]

GaN基增强型MOS‑HEMT器件及其制备方法 [P].

张有润 ;

刘程嗣 ;

刘影 ;

庞慧娇 ;

胡刚毅 ;

张波 .

中国专利 :CN107195670A ,2017-09-22

[8]

增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

邱士起 ;

程永健 ;

李家辉 ;

姜奥旋 ;

马飞 .

中国专利 :CN119743971A ,2025-04-01

[9]

一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

梁世博 .

中国专利 :CN108376707A ,2018-08-07

[10]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

李思超 ;

柳俊 ;

贾汉祥 ;

程涛 ;

赵波 ;

刘力 .

中国专利 :CN120264802A ,2025-07-04

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