一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210381515.1

申请日：

2012-10-10

公开(公告)号：

CN102856374B

公开(公告)日：

2013-01-02

发明(设计)人：

刘扬张金城贺致远张佰君

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市新港西路135号中山大学物理科学与工程技术学院

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

禹小明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-02	公开	公开
2015-06-10	授权	授权
2013-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101395920036 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2012103815151 申请日:20121010

共 50 条

[1]

GaN增强型MISFET器件及其制备方法 [P].

刘扬 ;

贺致远 ;

姚尧 .

中国专利 :CN102082176A ,2011-06-01

[2]

一种GaN基增强型MOSHFET器件及其制备方法 [P].

刘扬 ;

姚尧 ;

张佰君 .

中国专利 :CN102368501A ,2012-03-07

[3]

增强型GaN基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

马建铖 ;

张淼 ;

李渊 .

中国专利 :CN111613668B ,2020-09-01

[4]

一种增强型MIS-GaN器件 [P].

易波 .

中国专利 :CN114520262A ,2022-05-20

[5]

一种增强型GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

范晓成 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN115376919A ,2022-11-22

[6]

GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法 [P].

刘扬 ;

沈震 ;

张佰君 .

中国专利 :CN102386223B ,2012-03-21

[7]

增强型GaN基功率器件及其制备方法 [P].

张卫 ;

卢红亮 ;

黄伟 ;

蒋西西 .

中国专利 :CN109545851A ,2019-03-29

[8]

一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张明昆 .

中国专利 :CN113363319B ,2021-09-07

[9]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

李思超 ;

柳俊 ;

贾汉祥 ;

程涛 ;

赵波 ;

刘力 .

中国专利 :CN120264802A ,2025-07-04

[10]

一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

汪洋 ;

左朋 ;

王世卓荦 ;

杨浩军 ;

王晓晖 ;

丁国建 ;

张宇超 ;

冯琦 ;

王海玲 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN111755332A ,2020-10-09

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