一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110493226.X

申请日：

2021-05-07

公开(公告)号：

CN113363319B

公开(公告)日：

2021-09-07

发明(设计)人：

杨伟锋帅浩张明昆

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101

代理人：

吴廷正

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-07	公开	公开
2021-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210507
2022-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 .

中国专利 :CN113725297A ,2021-11-30

[2]

一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 .

中国专利 :CN113725297B ,2024-10-01

[3]

一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张保平 .

中国专利 :CN113745333A ,2021-12-03

[4]

常关型氮化镓基半导体器件 [P].

J·拉达尼 .

中国专利 :CN102812554B ,2012-12-05

[5]

一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法 [P].

刘扬 ;

张金城 ;

贺致远 ;

张佰君 .

中国专利 :CN102856374B ,2013-01-02

[6]

一种常关型器件 [P].

黎子兰 .

中国专利 :CN212062440U ,2020-12-01

[7]

一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

杨伟锋 ;

帅浩 ;

张保平 .

中国专利 :CN113745333B ,2024-10-01

[8]

一种常关型SiC基DMOSFET器件 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN209418507U ,2019-09-20

[9]

常关型氧化镓场效应晶体管结构 [P].

吕元杰 ;

王元刚 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 ;

冯志红 .

中国专利 :CN109659355B ,2019-04-19

[10]

一种氧化镓基功率器件及其制备方法 [P].

齐红基 ;

陈端阳 ;

李小丽 .

中国专利 :CN119743988A ,2025-04-01

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