应变GeSn CMOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711112562.5

申请日：

2017-02-10

公开(公告)号：

CN107833886A

公开(公告)日：

2018-03-23

发明(设计)人：

张洁宋建军任远胡辉勇宣荣喜舒斌张鹤鸣

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L218249

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

刘长春

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/06 申请公布日:20180323
2018-03-23	公开	公开
2018-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20170210

共 50 条

[1]

应变GeSn NMOS器件及其制备方法 [P].

张洁 ;

宋建军 ;

任远 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107818978B ,2018-03-20

[2]

应变GeSn PMOS器件及其制备方法 [P].

张洁 ;

宋建军 ;

任远 ;

胡辉勇 ;

宣荣喜 ;

舒斌 ;

张鹤鸣 .

中国专利 :CN107818977A ,2018-03-20

[3]

应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

王斌 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

宣荣喜 ;

舒斌 .

中国专利 :CN104992930A ,2015-10-21

[4]

应变GeCMOS器件及其制备方法 [P].

左瑜 .

中国专利 :CN107968043A ,2018-04-27

[5]

应变CMOS器件的制作方法 [P].

黄敬勇 ;

韩秋华 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102487017A ,2012-06-06

[6]

一种平面复合应变Si/SiGe CMOS器件及制备方法 [P].

周春宇 ;

钟宇霄 ;

王冠宇 ;

蒋巍 ;

马明 ;

董希言 .

中国专利 :CN108766967A ,2018-11-06

[7]

应变Ge槽型栅CMOS集成器件制备方法及其CMOS集成器件 [P].

刘翔宇 ;

胡辉勇 ;

张鹤鸣 ;

宋建军 ;

舒斌 ;

宣荣喜 .

中国专利 :CN105118809A ,2015-12-02

[8]

CMOS器件及其制备方法 [P].

殷华湘 ;

姚佳欣 ;

王文武 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN108428667B ,2018-08-21

[9]

CMOS器件及其制备方法 [P].

毛淑娟 ;

罗军 ;

许静 .

中国专利 :CN109671621B ,2019-04-23

[10]

一种直接带隙GeSn CMOS器件及其制备方法 [P].

刘伟峰 ;

张士琦 ;

宋建军 .

中国专利 :CN113506802A ,2021-10-15

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