一种Ge基MOS器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611072558.6

申请日：

2016-11-29

公开(公告)号：

CN106601587A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

刘丽蓉王勇丁超

申请人：

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6楼607室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

广东莞信律师事务所 44332

代理人：

曾秋梅

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20170426
2017-04-26	公开	公开
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721561767 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2016110725586 申请日:20161129

共 50 条

[1]

一种SiC基MOS器件 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN210156382U ,2020-03-17

[2]

一种锗基MOS器件 [P].

陆骐峰 ;

吴京锦 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN205177850U ,2016-04-20

[3]

一种SiC基MOS器件 [P].

王金秋 ;

关世瑛 .

中国专利 :CN213242540U ,2021-05-18

[4]

一种MOS器件封装结构 [P].

吴昊 ;

王成 ;

陆亚斌 .

中国专利 :CN222775311U ,2025-04-18

[5]

一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法及得到的锗基MOS器件 [P].

陆骐峰 ;

吴京锦 ;

赵策洲 .

中国专利 :CN105374689A ,2016-03-02

[6]

等效氧化物厚度为亚纳米的Ge基MOS器件的制备方法 [P].

李爱东 ;

李学飞 ;

曹燕强 ;

吴迪 .

中国专利 :CN102543751A ,2012-07-04

[7]

一种SiC-MOS器件结构 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN210805778U ,2020-06-19

[8]

一种MOS器件版图设计方法、MOS器件版图及MOS器件 [P].

马琦赟 ;

雷郎成 ;

高炜祺 ;

詹勇 ;

王忠焰 ;

杜宇彬 ;

胡永菲 ;

刘林果 ;

文荟麟 .

中国专利 :CN119250005A ,2025-01-03

[9]

一种GaAs基MOS器件的制备方法 [P].

李爱东 ;

龚佑品 ;

刘晓杰 ;

吴迪 .

中国专利 :CN102024707A ,2011-04-20

[10]

GaAs基垂直结构MOS器件及其制作方法 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

刘桂明 .

中国专利 :CN102983172A ,2013-03-20

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