一种SiC-MOS器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921548037.2

申请日：

2019-09-18

公开(公告)号：

CN210805778U

公开(公告)日：

2020-06-19

发明(设计)人：

姚金才陈宇朱超群

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区福保街道市花路5号长富金茂大厦22层2201-01

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L29417 H01L21336

代理机构：

深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632

代理人：

霍如肖

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种SiC-MOS器件的制备方法 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN110473914B ,2024-03-29

[2]

一种SiC-MOS器件的制备方法 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN110473914A ,2019-11-19

[3]

一种SiC-MOS器件、逆变器及电子设备 [P].

刘辉 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN223110410U ,2025-07-15

[4]

一种降低SiC-MOS器件界面态密度的方法及MOS电容 [P].

李秀妍 ;

孟俊豪 ;

司梦维 .

中国专利 :CN119521683A ,2025-02-25

[5]

一种集成低势垒JBS的SiC-MOS器件的制备方法 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN110473915A ,2019-11-19

[6]

一种SiC基MOS器件 [P].

王金秋 ;

关世瑛 .

中国专利 :CN213242540U ,2021-05-18

[7]

一种SiC基MOS器件 [P].

张瑜洁 ;

李昀佶 ;

陈彤 .

中国专利 :CN210156382U ,2020-03-17

[8]

一种伺服系统并联SiC-MoS驱动电路 [P].

高炳东 ;

黄建 ;

王永乐 ;

吴真 ;

张紫君 ;

陈硕 ;

宋涛 .

中国专利 :CN113507201A ,2021-10-15

[9]

一种沟槽SiC基MOS器件及其制备方法 [P].

何欢 ;

张伟 ;

叶向华 .

中国专利 :CN117711947A ,2024-03-15

[10]

一种基于SIC的高压MOS器件 [P].

陈利 .

中国专利 :CN214176043U ,2021-09-10

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