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一种集成低势垒JBS的SiC-MOS器件的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910879294.2
申请日：
2019-09-18
公开(公告)号：
CN110473915A
公开(公告)日：
2019-11-19
发明(设计)人：
姚金才 陈宇 朱超群
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市福田区福保街道市花路5号长富金茂大厦22层2201-01
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978 H01L21336
代理机构：
深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632
代理人：
霍如肖
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-12-13 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190918
2019-11-19 公开 公开
共 50 条
[1]
一种SiC-MOS器件的制备方法 [P]. 
姚金才 ;
陈宇 ;
朱超群 .
中国专利 :CN110473914B ,2024-03-29
[2]
一种SiC-MOS器件的制备方法 [P]. 
姚金才 ;
陈宇 ;
朱超群 .
中国专利 :CN110473914A ,2019-11-19
[3]
一种SiC-MOS器件结构 [P]. 
姚金才 ;
陈宇 ;
朱超群 .
中国专利 :CN210805778U ,2020-06-19
[4]
一种降低SiC-MOS器件界面态密度的方法及MOS电容 [P]. 
李秀妍 ;
孟俊豪 ;
司梦维 .
中国专利 :CN119521683A ,2025-02-25
[5]
具有肖特基势垒控制层的MOS器件 [P]. 
A·巴哈拉 ;
王晓彬 ;
潘继 ;
S-P·魏 .
中国专利 :CN101465375B ,2009-06-24
[6]
一种SiC-MOS器件、逆变器及电子设备 [P]. 
刘辉 ;
傅玥 ;
孔令涛 .
中国专利 :CN223110410U ,2025-07-15
[7]
一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN114400257B ,2025-06-06
[8]
一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN216793696U ,2022-06-21
[9]
一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件 [P]. 
于霄恬 .
中国专利 :CN216793695U ,2022-06-21
[10]
一种集成SBD的单边沟槽SiC MOS器件及制备方法 [P]. 
王正 ;
杨程 ;
裘俊庆 ;
王毅 .
中国专利 :CN119050151A ,2024-11-29
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