一种降低SiC-MOS器件界面态密度的方法及MOS电容

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411579559.4

申请日：

2024-11-07

公开(公告)号：

CN119521683A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

李秀妍孟俊豪司梦维

申请人：

上海交通大学

申请人地址：

200240 上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H10D1/66

IPC分类号：

代理机构：

上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317

代理人：

禹雪平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/66申请日:20241107
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC-MOS器件结构 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN210805778U ,2020-06-19

[2]

低界面态密度的SiC MOS电容制作方法 [P].

郭辉 ;

王德龙 ;

张玉明 ;

张义门 ;

程萍 ;

张睿 ;

张甲阳 .

中国专利 :CN101540279A ,2009-09-23

[3]

一种SiC-MOS器件的制备方法 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN110473914B ,2024-03-29

[4]

一种SiC-MOS器件的制备方法 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN110473914A ,2019-11-19

[5]

一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法 [P].

王德君 ;

刘冰冰 ;

秦褔文 .

中国专利 :CN105355561A ,2016-02-24

[6]

一种SiC-MOS器件、逆变器及电子设备 [P].

刘辉 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN223110410U ,2025-07-15

[7]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037238A ,2014-09-10

[8]

SiC MOS电容器件制备方法 [P].

王世海 ;

许恒宇 ;

万彩萍 ;

金智 .

中国专利 :CN109950327A ,2019-06-28

[9]

一种集成低势垒JBS的SiC-MOS器件的制备方法 [P].

姚金才 ;

陈宇 ;

朱超群 .

中国专利 :CN110473915A ,2019-11-19

[10]

基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法 [P].

李博 ;

刘凡宇 ;

张铁馨 ;

韩郑生 ;

李彬鸿 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN118671537A ,2024-09-20

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