低界面态密度的SiC MOS电容制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910022011.9

申请日：

2009-04-14

公开(公告)号：

CN101540279A

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

郭辉王德龙张玉明张义门程萍张睿张甲阳

申请人：

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21265 H01L21316 H01L213105

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20090414 授权公告日:20101013 终止日期:20170414
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-23	公开	公开
2010-10-13	授权	授权

共 50 条

[1]

低偏移平带电压SiC MOS电容制作方法 [P].

郭辉 ;

张玉明 ;

王德龙 ;

张义门 ;

程萍 ;

张睿 ;

张甲阳 .

中国专利 :CN101540280A ,2009-09-23

[2]

一种制作SiC MOS电容的方法 [P].

郭辉 ;

张玉明 ;

王德龙 ;

张义门 ;

程萍 ;

张甲阳 ;

张睿 .

中国专利 :CN101552192B ,2009-10-07

[3]

一种降低SiC-MOS器件界面态密度的方法及MOS电容 [P].

李秀妍 ;

孟俊豪 ;

司梦维 .

中国专利 :CN119521683A ,2025-02-25

[4]

低偏移平带电压SiC MOS电容制备方法 [P].

汤晓燕 ;

多亚军 ;

张玉明 ;

吕红亮 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN102842489A ,2012-12-26

[5]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037238A ,2014-09-10

[6]

叠栅SiC-MIS电容的制作方法 [P].

刘莉 ;

王德君 ;

马晓华 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN102629559A ,2012-08-08

[7]

一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法 [P].

王德君 ;

刘冰冰 ;

秦褔文 .

中国专利 :CN105355561A ,2016-02-24

[8]

MOS电容及其制作方法 [P].

潘宏菽 ;

马杰 .

中国专利 :CN103904137A ,2014-07-02

[9]

基于伪MOS特性的MOS管界面态密度检测方法 [P].

李博 ;

刘凡宇 ;

张铁馨 ;

韩郑生 ;

李彬鸿 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN118671537A ,2024-09-20

[10]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037239A ,2014-09-10

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