低偏移平带电压SiC MOS电容制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910022012.3

申请日：

2009-04-14

公开(公告)号：

CN101540280A

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

郭辉张玉明王德龙张义门程萍张睿张甲阳

申请人：

申请人地址：

710071陕西省西安市太白路2号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21265 H01L21316 H01L213105

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-23	公开	公开
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101075701883 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2009100220123 公开日:20090923
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低偏移平带电压SiC MOS电容制备方法 [P].

汤晓燕 ;

多亚军 ;

张玉明 ;

吕红亮 ;

宋庆文 .

中国专利 :CN102842489A ,2012-12-26

[2]

低界面态密度的SiC MOS电容制作方法 [P].

郭辉 ;

王德龙 ;

张玉明 ;

张义门 ;

程萍 ;

张睿 ;

张甲阳 .

中国专利 :CN101540279A ,2009-09-23

[3]

一种制作SiC MOS电容的方法 [P].

郭辉 ;

张玉明 ;

王德龙 ;

张义门 ;

程萍 ;

张甲阳 ;

张睿 .

中国专利 :CN101552192B ,2009-10-07

[4]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037238A ,2014-09-10

[5]

MOS电容及其制作方法 [P].

潘宏菽 ;

马杰 .

中国专利 :CN103904137A ,2014-07-02

[6]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037239A ,2014-09-10

[7]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037240A ,2014-09-10

[8]

SiC沟槽MOS器件及其制作方法 [P].

邵锦文 ;

侯同晓 ;

孙致祥 ;

贾仁需 ;

元磊 ;

张秋洁 ;

刘学松 .

中国专利 :CN109411546A ,2019-03-01

[9]

叠栅SiC-MIS电容的制作方法 [P].

刘莉 ;

王德君 ;

马晓华 ;

杨银堂 .

中国专利 :CN102629559A ,2012-08-08

[10]

SiC MOS电容器件制备方法 [P].

王世海 ;

许恒宇 ;

万彩萍 ;

金智 .

中国专利 :CN109950327A ,2019-06-28

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