SiC MOS电容及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410293411.4

申请日：

2014-06-26

公开(公告)号：

CN104037239A

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

贾仁需闫宏丽宋庆文汤晓燕张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京亿腾知识产权代理事务所 11309

代理人：

李楠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587395054 IPC(主分类):H01L 29/94 专利申请号:2014102934114 申请日:20140626
2014-09-10	公开	公开
2018-04-06	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/94 申请公布日:20140910

共 50 条

[1]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037238A ,2014-09-10

[2]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037240A ,2014-09-10

[3]

一种SiC MOS电容及其制造方法 [P].

宋庆文 ;

肖莉 ;

王梁永 ;

贾一凡 ;

王志坚 ;

张玉明 .

中国专利 :CN107863392A ,2018-03-30

[4]

Al2O3/LaLuO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600128A ,2015-05-06

[5]

Al2O3/LaAlO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576766A ,2015-04-29

[6]

Al2O3/LaScO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600127A ,2015-05-06

[7]

Al2O3/HfxLa1-xO/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104538460A ,2015-04-22

[8]

Al2O3/La2O3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104617161A ,2015-05-13

[9]

MOS电容以及其制造方法 [P].

陈喜明 ;

李诚瞻 ;

颜骥 ;

赵艳黎 ;

高云斌 ;

史晶晶 ;

刘国友 .

中国专利 :CN104659114B ,2015-05-27

[10]

一种制作SiC MOS电容的方法 [P].

郭辉 ;

张玉明 ;

王德龙 ;

张义门 ;

程萍 ;

张甲阳 ;

张睿 .

中国专利 :CN101552192B ,2009-10-07

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