Al2O3/LaScO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510007211.2

申请日：

2015-01-07

公开(公告)号：

CN104600127A

公开(公告)日：

2015-05-06

发明(设计)人：

贾仁需赵东辉吕红亮张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L2906 H01L2102 C23C1435

代理机构：

北京亿腾知识产权代理事务所 11309

代理人：

李楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	公开	公开
2015-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101611566517 IPC(主分类):H01L 29/94 专利申请号:2015100072112 申请日:20150107
2018-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/94 申请公布日:20150506

共 24 条

[1]

Al2O3/LaAlO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576766A ,2015-04-29

[2]

Al2O3/LaLuO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600128A ,2015-05-06

[3]

Al2O3/La2O3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104617161A ,2015-05-13

[4]

Al2O3/HfxLa1-xO/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104538460A ,2015-04-22

[5]

一种高介电栅介质Al2O3/BaO/Al2O3结构及其制备方法 [P].

缪炳有 ;

徐小诚 .

中国专利 :CN100428417C ,2003-05-28

[6]

高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜 [P].

凌惠琴 ;

陈寿面 ;

李明 ;

毛大立 ;

杨春生 .

中国专利 :CN1761068A ,2006-04-19

[7]

一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法 [P].

李海鸥 ;

曹明民 ;

林子曾 ;

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

李琦 ;

肖功利 ;

高喜 ;

曹卫平 .

中国专利 :CN104966673A ,2015-10-07

[8]

一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

刘晶煌 ;

李欢 ;

庞体强 ;

汪钰成 ;

杜永琪 .

中国专利 :CN110350088A ,2019-10-18

[9]

一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN212209500U ,2020-12-22

[10]

一种具有Ga2O3/Al2O3保护层的HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

高升 ;

刘晓艺 .

中国专利 :CN111403481A ,2020-07-10