一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910470603.0

申请日：

2019-05-31

公开(公告)号：

CN110350088A

公开(公告)日：

2019-10-18

发明(设计)人：

贾仁需刘晶煌李欢庞体强汪钰成杜永琪

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H01L5142

IPC分类号：

H01L5146 H01L5148

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

张捷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/42 申请日:20190531
2021-03-23	授权	授权
2019-10-18	公开	公开

共 40 条

[1]

基于CH3NH3PbI3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

李欢 ;

汪钰成 ;

庞体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN108011043A ,2018-05-08

[2]

一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

李欢 ;

汪钰成 ;

庞体强 .

中国专利 :CN109037451A ,2018-12-18

[3]

基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

李欢 ;

汪钰成 ;

庞体强 .

中国专利 :CN109037450A ,2018-12-18

[4]

基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

厐体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106299124B ,2017-01-04

[5]

基于CH3NH3PbI3材料的CMOS器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

厐体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106299121A ,2017-01-04

[6]

基于CH3NH3PbI3材料的PMOS器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

汪钰成 ;

厐体强 ;

张玉明 .

中国专利 :CN106299120A ,2017-01-04

[7]

一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的MOSFET结构光敏器件的制备方法 [P].

刘伟 ;

成艳娜 ;

鞠肖蕾 ;

王子豪 ;

林峰 ;

李学政 .

中国专利 :CN109037387A ,2018-12-18

[8]

Al2O3/La2O3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104617161A ,2015-05-13

[9]

Al2O3/LaAlO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576766A ,2015-04-29

[10]

Al2O3/LaScO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600127A ,2015-05-06

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