Al2O3/HfxLa1-xO/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510010446.7

申请日：

2015-01-07

公开(公告)号：

CN104538460A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

贾仁需赵东辉吕红亮张玉明

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L2951 H01L2118

代理机构：

北京亿腾知识产权代理事务所 11309

代理人：

李楠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	公开	公开
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609917518 IPC(主分类):H01L 29/94 专利申请号:2015100104467 申请日:20150107

共 9 条

[1]

Al2O3/LaAlO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576766A ,2015-04-29

[2]

Al2O3/LaScO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600127A ,2015-05-06

[3]

Al2O3/LaLuO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600128A ,2015-05-06

[4]

Al2O3/La2O3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104617161A ,2015-05-13

[5]

一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法 [P].

李海鸥 ;

曹明民 ;

林子曾 ;

王盛凯 ;

刘洪刚 ;

李琦 ;

肖功利 ;

高喜 ;

曹卫平 .

中国专利 :CN104966673A ,2015-10-07

[6]

一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法 [P].

贾仁需 ;

刘晶煌 ;

李欢 ;

庞体强 ;

汪钰成 ;

杜永琪 .

中国专利 :CN110350088A ,2019-10-18

[7]

V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法 [P].

张金风 ;

陈万娇 ;

任泽阳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN107731910A ,2018-02-23

[8]

基于MoO3/Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法 [P].

张金风 ;

陈万娇 ;

任泽阳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN107731909A ,2018-02-23

[9]

基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法 [P].

张金风 ;

刘俊 ;

任泽阳 ;

陈万娇 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN107919396A ,2018-04-17