一种改善Al2O3/InP MOS电容界面特性及漏电特性的界面钝化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510393302.4

申请日：

2015-07-07

公开(公告)号：

CN104966673A

公开(公告)日：

2015-10-07

发明(设计)人：

李海鸥曹明民林子曾王盛凯刘洪刚李琦肖功利高喜曹卫平

申请人：

申请人地址：

541004 广西壮族自治区桂林市金鸡路1号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21321 H01L21314

代理机构：

桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107

代理人：

唐智芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015103933024 申请日:20150707 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101632843146
2015-11-25	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724162762 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015103933024 申请公布日:20151007
2015-10-07	公开	公开

共 50 条

[1]

Al2O3/La2O3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104617161A ,2015-05-13

[2]

Al2O3/LaAlO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104576766A ,2015-04-29

[3]

Al2O3/LaScO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600127A ,2015-05-06

[4]

Al2O3/LaLuO3/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104600128A ,2015-05-06

[5]

Al2O3/HfxLa1-xO/SiO2堆垛栅介质层的SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

赵东辉 ;

吕红亮 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104538460A ,2015-04-22

[6]

Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法及器件 [P].

徐骏 ;

季阳 ;

翟颖颖 ;

李东珂 ;

邵文仪 ;

李伟 ;

陈坤基 .

中国专利 :CN106898543A ,2017-06-27

[7]

一种改善高介电常数栅介质界面特性的方法 [P].

王文武 ;

陈世杰 ;

王晓磊 ;

韩锴 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102044442A ,2011-05-04

[8]

一种通过界面技术改善铁电MOS电容性能的方法 [P].

陈琳 ;

李振海 ;

孟佳琳 ;

王天宇 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN115410904A ,2022-11-29

[9]

一种快速加热Al2O3的方法及装置 [P].

彭金辉 ;

刘秉国 ;

何广军 ;

张利波 ;

梁贵安 ;

李世伟 ;

刘明 .

中国专利 :CN104902603A ,2015-09-09

[10]

一种高介电栅介质Al2O3/BaO/Al2O3结构及其制备方法 [P].

缪炳有 ;

徐小诚 .

中国专利 :CN100428417C ,2003-05-28

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