MOS电容以及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510043980.8

申请日：

2015-01-28

公开(公告)号：

CN104659114B

公开(公告)日：

2015-05-27

发明(设计)人：

陈喜明李诚瞻颜骥赵艳黎高云斌史晶晶刘国友

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;刘华联

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101614587533 IPC(主分类):H01L 29/94 专利申请号:2015100439808 申请日:20150128
2018-04-27	授权	授权
2020-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/94 登记生效日:20200930 变更事项:专利权人变更前权利人:株洲中车时代电气股份有限公司变更后权利人:株洲中车时代半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后权利人:412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
2020-10-27	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/94 变更事项:专利权人变更前:株洲南车时代电气股份有限公司变更后:株洲中车时代电气股份有限公司变更事项:地址变更前:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号变更后:412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号
2015-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

MOS电容及其制造方法 [P].

康晓旭 ;

钟晓兰 ;

楚正辉 .

中国专利 :CN115084282A ,2022-09-20

[2]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037240A ,2014-09-10

[3]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037239A ,2014-09-10

[4]

SiC MOS电容及制造方法 [P].

贾仁需 ;

闫宏丽 ;

宋庆文 ;

汤晓燕 ;

张玉明 .

中国专利 :CN104037238A ,2014-09-10

[5]

一种SiC MOS电容及其制造方法 [P].

宋庆文 ;

肖莉 ;

王梁永 ;

贾一凡 ;

王志坚 ;

张玉明 .

中国专利 :CN107863392A ,2018-03-30

[6]

MOS电容的制造方法 [P].

霍彩红 ;

张宏宝 ;

潘宏菽 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN104037062A ,2014-09-10

[7]

MOS电容及其制作方法 [P].

潘宏菽 ;

马杰 .

中国专利 :CN103904137A ,2014-07-02

[8]

MOS电容及其形成方法 [P].

吴健 .

中国专利 :CN108269861A ,2018-07-10

[9]

一种降低MOS电容的结构及其制造方法 [P].

王新强 ;

王丕龙 ;

张永利 ;

赵旺 ;

杨玉珍 .

中国专利 :CN113675076A ,2021-11-19

[10]

Sinker MOS电容模型及其建立方法 [P].

朱正鹏 .

中国专利 :CN102194026A ,2011-09-21

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